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APT75GT120JRDQ3
Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187871 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 66,610785 € |
| Preis ohne MwSt. : | 55,050236 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | Auf Lager |
| Gesamtbestand: | 15 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APT75GT120JRDQ3 |
| Zentrallager Zdice: | 15 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 55,050236 € | 66,610785 € | ||
| 5 + | 52,755382 € | 63,834013 € | ||
| 10 + | 50,461349 € | 61,058233 € | ||
| 25 + | 48,167726 € | 58,282949 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APT75GT120JRDQ3 |
| Art der Komponente: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | single 1*(T+D) |
| Konstruktion: | 1*(IGBT+D) |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | SOT-227 |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 36 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 97 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 42 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 480 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 500 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 5100 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | SOT-227 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.26 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
| Anzahl der Stifte | 4 |
| D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
| L - Länge | 38.1 [mm] |
| W - Breite | 25.3 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |