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APT65GP60L2DQ2G

PT IGBT, 600V, 198A, 833W, TO-264MAX

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APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology
APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology
APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology
Stück
ID Code:187755
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 31,7198 €
Preis ohne MwSt. : 26,2147 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT65GP60L2DQ2G
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1 + 26,2147 €31,7198 €
5 + 25,1240 €30,4001 €
10 + 24,0317 €29,0783 €
25 + 22,9393 €27,7566 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT65GP60L2DQ2G 
Art der Komponente:IGBT-PT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-264 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:12 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)198 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)198 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)96 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)833 [W]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)65 [ns]
Qg (Total Gate Charge)210 [nC]
Cin (Input Capacitance)7400 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.15 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]
RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.25 [mm]
W - Breite 20 [mm]
L - Länge 26 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-264 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,3 [mm]
Lv - Anschlusslänge20 [mm]

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