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APT50GT120B2RG

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube

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APT50GT120B2RG Microchip Technology
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APT50GT120B2RG Microchip Technology
Stück
ID Code:187852
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 22,600986 €
Preis ohne MwSt. : 18,678501 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT50GT120B2RG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 18,678501 €22,600986 €
5 + 17,899014 €21,657807 €
10 + 17,121105 €20,716537 €
25 + 16,342801 €19,774789 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT50GT120B2RG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-247AD_3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)94 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)625 [W]
tr (Turn-on / rise time)53 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)26 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin (Input Capacitance)3300 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.2 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.65 [mm]
L - Länge 21 [mm]
W - Breite 16 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge19.8 [mm]

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