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APT50GT120B2RDQ2G

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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APT50GT120B2RDQ2G Microchip Technology
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Stück
ID Code:187851
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 26,62 €
Preis ohne MwSt. : 22,00 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT50GT120B2RDQ2G
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25 + 19,25 €23,29 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT50GT120B2RDQ2G 
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:!_to-247ad_3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)94 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)94 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)625 [W]
tr (Turn-on / rise time)53 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)26 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin (Input Capacitance)3700 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.8 [°C/W]
RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.65 [mm]
W - Breite 16 [mm]
L - Länge 21 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge19.8 [mm]

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