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APT50GR120JD30

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube

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APT50GR120JD30 Microchip Technology
APT50GR120JD30 Microchip Technology
APT50GR120JD30 Microchip Technology
Stück
ID Code:187850
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 54,05 €
Preis ohne MwSt. : 44,67 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT50GR120JD30
Zentrallager Zdice: 0 Stück
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT50GR120JD30 
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)84 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)84 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)417 [W]
tr (Turn-on / rise time)38 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)45 [ns]
Qg (Total Gate Charge)330 [nC]
Cin (Input Capacitance)5550 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.3 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.1 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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