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APT50GR120JD30

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube

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APT50GR120JD30 Microchip Technology
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APT50GR120JD30 Microchip Technology
Stück
ID Code:187850
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 49,824936 €
Preis ohne MwSt. : 41,177633 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT50GR120JD30
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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1 + 41,177633 €49,824936 €
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10 + 37,745505 €45,672061 €
25 + 36,030034 €43,596341 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT50GR120JD30 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)84 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)417 [W]
tr (Turn-on / rise time)38 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)45 [ns]
Qg (Total Gate Charge)330 [nC]
Cin (Input Capacitance)5550 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.3 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.1 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

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