Trans IGBT Module N-CH 1200V 120A 521000mW
ID Code: | 187847 |
Hersteller: | Microchip Technology |
Preis inkl. MwSt. : | 135,425105 € |
Preis ohne MwSt. : | 111,921575 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | APT50GF120JRDQ3 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 111,921575 € | 135,425105 € | ||
5 + | 107,258391 € | 129,782653 € | ||
10 + | 102,594777 € | 124,139680 € | ||
25 + | 97,931593 € | 118,497228 € |
Herstellerkennzeichnung | APT50GF120JRDQ3 |
Art der Komponente: | IGBT-NPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Konstruktion: | 1*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | SOT-227 |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 36 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 30 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 120 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 120 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 64 [A] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 521 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 65 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 495 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 5320 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.24 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
Anzahl der Stifte | 3 |
D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
W - Breite | 25.3 [mm] |
L - Länge | 38.1 [mm] |
H - Höhe | 12 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |