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APT38M50J

Trans MOSFET N-CH Si 500V 38A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT38M50J Microchip Technology
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Stück
ID Code:188761
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 39,440750 €
Preis ohne MwSt. : 32,595661 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT38M50J
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 32,595661 €39,440750 €
5 + 31,236292 €37,795913 €
10 + 29,878501 €36,152986 €
25 + 28,520316 €34,509582 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT38M50J 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)357 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)100 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)660 [ns]
tr (Turn-on / rise time)45 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)33 [ns]
Qg (Total Gate Charge)220 [nC]
Cin (Input Capacitance)8800 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.35 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

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