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APT25M100J

Trans MOSFET N-CH Si 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT25M100J Microchip Technology
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Stück
ID Code:188550
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 46,921111 €
Preis ohne MwSt. : 38,777778 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT25M100J
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 38,777778 €46,921111 €
5 + 37,161508 €44,965425 €
10 + 35,545635 €43,010218 €
25 + 33,930159 €41,055492 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT25M100J 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1000 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)16 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)545 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)330 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)1165 [ns]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)38 [ns]
Qg (Total Gate Charge)305 [nC]
Cin (Input Capacitance)9835 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.23 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

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