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APT200GT60JR

Trans IGBT Module N-CH 600V 195A 500000mW SOT-227

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APT200GT60JR Microchip Technology
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Stück
ID Code:187884
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 66,0840 €
Preis ohne MwSt. : 54,6149 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT200GT60JR
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Einheit:: Stück
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25 + 47,7880 €57,8235 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT200GT60JR 
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)195 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)195 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)[V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)500 [W]
tr (Turn-on / rise time)160 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)212 [ns]
Qg (Total Gate Charge)946 [nC]
Cin (Input Capacitance)8650 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.21 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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