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APT200GN60J

IGBT, 600V Field Stop, 283A, 682W, SOT-227

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APT200GN60J Microchip Technology
APT200GN60J Microchip Technology
APT200GN60J Microchip Technology
Stück
ID Code:187678
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 48,2378 €
Preis ohne MwSt. : 39,8660 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT200GN60J
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25 + 34,8815 €42,2067 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT200GN60J 
KategorieIGBT Full Silicon 
Art der Komponente:IGBT-Fieldstop 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:33 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)283 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)283 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)158 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)682 [W]
tr (Turn-on / rise time)80 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)100 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1180 [nC]
Cin (Input Capacitance)14100 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)38x25x12 [mm]

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