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APT102GA60L

High Speed PT IGBT, 600V, 183A, 780W, TO-264

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APT102GA60L Microchip Technology
APT102GA60L Microchip Technology
APT102GA60L Microchip Technology
Stück
ID Code:187718
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 20,5171 €
Preis ohne MwSt. : 16,9563 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT102GA60L
Zentrallager Zdice: 0 Stück
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25 + 14,8367 €17,9524 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT102GA60L 
Art der Komponente:IGBT-PT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-264 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:12 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)183 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)183 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)102 [A]
UCE (sat) (@25°C)[V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)780 [W]
tr (Turn-on / rise time)37 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)101 [ns]
Qg (Total Gate Charge)294 [nC]
Cin (Input Capacitance)8170 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.16 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.25 [mm]
W - Breite 20 [mm]
L - Länge 26 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-264 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,3 [mm]
Lv - Anschlusslänge20 [mm]

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