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APT100GN120JDQ4

IGBT, 1200V Field Stop, 153A, 446W, SOT-227

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APT100GN120JDQ4 Microchip Technology
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Stück
ID Code:187611
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 76,742688 €
Preis ohne MwSt. : 63,423709 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT100GN120JDQ4
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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1 + 63,423709 €76,742688 €
5 + 60,782110 €73,546353 €
10 + 58,139719 €70,349060 €
25 + 55,496933 €67,151289 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT100GN120JDQ4 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:IGBT-Fieldstop 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)153 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)70 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)446 [W]
tr (Turn-on / rise time)50 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)105 [ns]
Qg (Total Gate Charge)540 [nC]
Cin (Input Capacitance)6500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.28 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.41 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Menge [Stück]1+40+80+200+
EUR/Stück0,7718190,7441120,6926580,641203
Gesamtbestand: 7491
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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