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APT100GN120B2G

IGBT, 1200V Field Stop, 245A, 960W, T-MAX

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APT100GN120B2G Microchip Technology
APT100GN120B2G Microchip Technology
APT100GN120B2G Microchip Technology
Stück
ID Code:187605
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 43,95 €
Preis ohne MwSt. : 36,32 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT100GN120B2G
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT100GN120B2G 
Art der Komponente:IGBT-Fieldstop 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:!_to-247ad_3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)245 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)245 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)100 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)960 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)50 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)105 [ns]
Qg (Total Gate Charge)540 [nC]
Cin (Input Capacitance)6500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.13 [°C/W]
RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.65 [mm]
W - Breite 16 [mm]
L - Länge 21 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge19.8 [mm]

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