Tschechien (čeština) Englisch Deutschland (Deutsch) Österreich (Deutsch) Schweiz (Deutsch) Slowakei (slovenčina) Ungarn (magyar) Rumänien (Română) Frankreich (français) Italien (italiano) Polen (polski) Estland (eesti keel) Russland (pусский) Spanien (español) Slowenien (slovenščina) Kroatien (hrvatski) Bulgarien (български)
Sie haben keine Ware in Ihrem Warenkorb

ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

Bildchen:
Zum Vergrößern anklicken
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183764
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 974,1631 €
Preis ohne MwSt. : 805,0934 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: ACR3200VR33
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
Einheit:: Stück
Mengenrabatt
AnzahlPreis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 805,0934 €974,1631 €
3 + 784,9661 €949,8090 €
6 + 744,7114 €901,1008 €
12 + 684,3294 €828,0386 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungACR3200VR33 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Art der Komponente:TRISIL 
Konfiguration:1xThyristor 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:!_puk110/73x27t_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1100 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)3200 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9240 [1000*A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)3000 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.00746 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Verwandte Artikel - ACR3200VR33

H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180  
ID: 107043   Hersteller-Nr.: CD01/102/28kN/L180  
auf Anfrage
Hersteller: PADA engineering  
Alle Preise verstehen sich ohne Mwst. und enthalten keine Versandkosten. Die Versandkosten werden als separater Artikel in einer Bestellung hinzufügen.

!_potrebujete poradit ?_! ACR3200VR33 Dynex Semiconductor

Ihr Name, Nachname, Firma
Ihre E-Mail
Ihre Telefonnummer
Ihre Anfrage
     Weitere Informationen




An einen Freund senden

Ihr Name
Ihre E-Mail
e-mail Ihres Freundes
Bitte schreiben Sie Code aus dem Bild antispam

Helfen Sie bei der Erbringung von Dienstleistungen uns Cookies. Mithilfe unserer Dienstleistungen Stimmen Sie unserer Verwendung von Cookies.   Weitere Informationen