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2MBI650VXA-170E-50

IGBT 1700V / 650A

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2MBI650VXA-170E-50 Fuji Electric
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2MBI650VXA-170E-50 Fuji Electric
2MBI650VXA-170E-50 Fuji Electric
Stück
ID Code:182786
Hersteller:Fuji Electric
Preis inkl. MwSt. : 598,855562 €
Preis ohne MwSt. : 494,921952 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: 2MBI650VXA-170E-50
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IGBT 1700V / 650A

Grundlegende Informationen:

Herstellerkennzeichnung2MBI650VXA-170E-50 
Art der Komponente:IGBT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :PrimePACK2 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:990 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)900 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.95 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)[V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)4500 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)500 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)150 [ns]
Cin (Input Capacitance)63000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:172x89x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.036 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.072 [°C/W]
L - Länge 172 [mm]
W - Breite 89 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF650R17IE4D 
Alternative Produkte 2:TG650HF17H2-S300 

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