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DAMJ17N800F

MOSFET 800V / 17A, 0,35 ohm, TO-220F

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DAMJ17N800F Daco Semiconductor
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ID Code:179026
Hersteller:Daco Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DAMJ17N800F
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MOSFET 800V / 17A, 0,35 ohm, TO-220F

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMJ17N800F 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-220F 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.4 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)10.7 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)55 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)350 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)190 [ns]
Qg (Total Gate Charge)57.2 [nC]
Cin (Input Capacitance)1650 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)2.27 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster2.54 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 15.8 [mm]
W - Breite 10.16 [mm]
H - Höhe 4.7 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,6 [mm]
Lv - Anschlusslänge9.45 [mm]

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