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BSM50GB170DN2

IGBT 1700V

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BSM50GB170DN2 Infineon Technologies
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BSM50GB170DN2 Infineon Technologies
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ID Code:178104
Hersteller:Infineon Technologies
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BSM50GB170DN2HOSA1
Einheit:: Stück
IGBT 1700V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBSM50GB170DN2HOSA1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITRANS-2s 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):
Große Verpackung (BOX):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)72 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.4 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)500 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)300 [ns]
tr (Turn-on / rise time)150 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)90 [ns]
Cin (Input Capacitance)8000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.25 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 94 [mm]
W - Breite 34 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:171351 - SKM 75GB17E4 &SK (SMK) 

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