IGBT 1700V
ID Code: | 178104 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | BSM50GB170DN2HOSA1 |
Einheit:: | Stück |
Herstellerkennzeichnung | BSM50GB170DN2HOSA1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITRANS-2s |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 0.09 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 3 |
Große Verpackung (BOX): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 72 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 50 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 3.4 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 500 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 300 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 150 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 90 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 8000 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.25 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 94 [mm] |
W - Breite | 34 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |
Alternative 1: | 171351 - SKM 75GB17E4 &SK (SMK) |