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CM1400DUC-24S

IGBT 1200V

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CM1400DUC-24S Mitsubishi
CM1400DUC-24S Mitsubishi
CM1400DUC-24S Mitsubishi
Nicht mehr auf Lager
ID Code:177735
Hersteller:Mitsubishi
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: CM1400DUC-24S
Einheit:: Stück
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungCM1400DUC-24S 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1320 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1400 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1400 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.55 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)9375 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)450 [ns]
tr (Turn-on / rise time)250 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)350 [ns]
Qg (Total Gate Charge)3500 [nC]
Cin (Input Capacitance)150000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.016 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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