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SK50GD07E3ETE1

IGBT 1200V

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SK50GD07E3ETE1 Semikron
SK50GD07E3ETE1 Semikron
Stück
ID Code:177543
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 106,439834 €
Preis ohne MwSt. : 87,966805 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK50GD07E3ETE1
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 87,966805 €106,439834 €
16 + 56,115392 €67,899624 €
160 + 43,825331 €53,028651 €
480 + 41,651847 €50,398735 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK50GD07E3ETE1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f -SE(single emiter) 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-E1 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:68.24 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)49 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)39 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.37 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Cin (Input Capacitance)3114 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.9 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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