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SK45MLET12SCp

MOSFET Modul,Full SiC, 3Channel Boost topology

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SK45MLET12SCp Semikron
SK45MLET12SCp Semikron
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ID Code:173649
Hersteller:Semikron
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Herstellerkennzeichnung: SK45MLET12SCp
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
MOSFET Modul,Full SiC, 3Channel Boost topology

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK45MLET12SCp 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Low side 3*(Boost Chopper) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:3*FET-BD+6*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-3p 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):15 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)38 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Qg (Total Gate Charge)189 [nC]
Cin (Input Capacitance)3700 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:55x31x16 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)1.28 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 55 [mm]
W - Breite 31 [mm]
H - Höhe 16 [mm]

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