MOSFET Modul,Full SiC, 3Channel Boost topology
ID Code: | 173649 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SK45MLET12SCp |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Herstellerkennzeichnung | SK45MLET12SCp |
Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguration: | Low side 3*(Boost Chopper) |
Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstruktion: | 3*FET-BD+6*D |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-3p |
Art des Materials: | SiC Full |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 36 [g] |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 15 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 38 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 189 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 3700 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 55x31x16 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 1.28 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 55 [mm] |
W - Breite | 31 [mm] |
H - Höhe | 16 [mm] |