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SKIIP26ACM12V17

MOSFET 1200V Full SiC

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SKIIP26ACM12V17 Semikron
SKIIP26ACM12V17 Semikron
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ID Code:173641
Hersteller:Semikron
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MwSt.:21 %
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Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKiiP26ACM12V17
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Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
MOSFET 1200V Full SiC

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKiiP26ACM12V17 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Bridge 3f 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:6*FET-BD+6*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MiniSKiiP_2 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:55 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)62 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)90 [ns]
Qg (Total Gate Charge)378 [nC]
Cin (Input Capacitance)8620 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.6 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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