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SK50GD12T4T

IGBT 1200V

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SK50GD12T4T Semikron
SK50GD12T4T Semikron
Stück
ID Code:173535
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 250,409082 €
Preis ohne MwSt. : 206,949654 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK50GD12T4T
Einheit:: Stück
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1 + 206,949654 €250,409081 €
6 + 67,285291 €81,415202 €
60 + 54,333662 €65,743731 €
180 + 49,160908 €59,484699 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK50GD12T4T 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-4 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:68.24 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)75 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)80 [ns]
Qg (Total Gate Charge)375 [nC]
Cin (Input Capacitance)2770 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.9 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 55 [mm]
W - Breite 60 [mm]
H - Höhe 15 [mm]

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