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SEMiX205GD12E4

IGBT 1200V

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SEMiX205GD12E4 Semikron
Stück
ID Code:172872
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 705,964829 €
Preis ohne MwSt. : 583,442008 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX205GD12E4
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48 + 169,571231 €205,181190 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX205GD12E4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-5 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:470 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)281 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)214 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)43 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)82 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2087 [nC]
Cin (Input Capacitance)12500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:130x103x21 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 130 [mm]
W - Breite 103 [mm]
H - Höhe 21 [mm]

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