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HGTG30N60C3D

IGBT 600V

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HGTG30N60C3D ON Semiconductor (Farchild)
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HGTG30N60C3D ON Semiconductor (Farchild)
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ID Code:172777
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: HGTG30N60C3D
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungHGTG30N60C3D 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-247AC_3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)63 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)30 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)208 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)52 [ns]
tr (Turn-on / rise time)45 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)230 [ns]
Qg (Total Gate Charge)162 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.6 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 20 [mm]
W - Breite 15.6 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,20x0,60 [mm]
Lv - Anschlusslänge14.6 [mm]

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