IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | APT75GN60LDQ3G |
Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Konstruktion: | 1*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse [inch] : | TO-264 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 12 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 155 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 93 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 536 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 29 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 38 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 485 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 4500 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | TO-264 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.28 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 5.45 [mm] |
Anzahl der Stifte | 3 |
D - Ø (Außendurchmesser) | 3.25 [mm] |
L - Länge | 26 [mm] |
W - Breite | 20 [mm] |
H - Höhe | 5 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | 1,3 [mm] |
Lv - Anschlusslänge | 20 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | IXXH75N60B3D1 |