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APT75GN60LDQ3G

IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

Stück
ID Code:172782
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 14,392430 €
Preis ohne MwSt. : 11,894570 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:56 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT75GN60LDQ3G
Zentrallager Zdice: 56 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT75GN60LDQ3G 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-264 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:12 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)155 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)93 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)536 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)29 [ns]
tr (Turn-on / rise time)48 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)38 [ns]
Qg (Total Gate Charge)485 [nC]
Cin (Input Capacitance)4500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-264 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.28 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)3.25 [mm]
L - Länge 26 [mm]
W - Breite 20 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,3 [mm]
Lv - Anschlusslänge20 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:IXXH75N60B3D1 

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