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SKIIP603GD123-3DUL

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SKIIP603GD123-3DUL Semikron
SKIIP603GD123-3DUL Semikron
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ID Code:172130
Hersteller:Semikron
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKiiP603GD123-3DUL
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKiiP603GD123-3DUL 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SKiiP3-GD 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:11100 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)627 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)484 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4300 [V]
UF (maximum forward voltage)1.5 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
I2t (TC/TA=25°C)61000 [A2s]
Cin (Input Capacitance)1000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.031 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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