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DFM 100PXM33-F005

Fast Recovery Diode Module 3300V/100A ,Common Cathode, AlSic

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DFM 100PXM33-F005 Dynex Semiconductor
DFM 100PXM33-F005 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:172335
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 426,620036 €
Preis ohne MwSt. : 352,578542 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DFM100PXM33-F005
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Fast Recovery Diode Module 3300V/100A ,Common Cathode, AlSic

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDFM100PXM33-F005 
Art der Komponente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Module 
Konfiguration:com.cathode 2D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-P 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:700 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

If (AV) per pkg.200 [A]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)10000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)5000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)521 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)0.005 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.016 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 140 [mm]
W - Breite 73 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

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