IGBT 1200V
ID Code: | 171882 |
Hersteller: | Semikron |
Preis inkl. MwSt. : | 658,865442 € |
Preis ohne MwSt. : | 544,516894 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SEMiX603GB12E4Ip |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 544,516894 € | 658,865442 € | ||
6 + | 221,221103 € | 267,677535 € | ||
24 + | 170,163999 € | 205,898439 € | ||
96 + | 158,269117 € | 191,505632 € |
Herstellerkennzeichnung | SEMiX603GB12E4Ip |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-3p |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 450 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 853 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.08 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 85 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 145 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3450 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 37500 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 150 [mm] |
W - Breite | 62 [mm] |
H - Höhe | 21 [mm] |
Alternative Produkte 1: | FF600R12ME4_B11 |
I+case 62x122_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMiX-3p, Econopack3, in size 62x122mm ID: 176038 Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x122mm_ECONOPACK3
| Gesamtbestand: 1491 Hersteller: SEMIC EU |