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SEMiX101GD12E4s

IGBT 1200V

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SEMiX101GD12E4s Semikron
SEMiX101GD12E4s Semikron
Stück
ID Code:171460
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 324,292432 €
Preis ohne MwSt. : 268,010275 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX101GD12E4s
Zentrallager Zdice: 0 Stück
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16 + 83,777910 €101,371271 €
64 + 77,889745 €94,246591 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX101GD12E4s 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-13 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:370 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)160 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)123 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)94 [ns]
Qg (Total Gate Charge)565 [nC]
Cin (Input Capacitance)6200 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:138x71x23 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 138 [mm]
W - Breite 71 [mm]
H - Höhe 23 [mm]

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ID: 176036   Hersteller-Nr.: F05-AL2-63,5x126mm_SEMiX13  
auf Anfrage
Hersteller: SEMIC EU  
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