IGBT 1200V
ID Code: | 171460 |
Hersteller: | Semikron |
Preis inkl. MwSt. : | 324,292432 € |
Preis ohne MwSt. : | 268,010275 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SEMiX101GD12E4s |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 268,010275 € | 324,292433 € | ||
4 + | 92,155700 € | 111,508397 € | ||
16 + | 83,777910 € | 101,371271 € | ||
64 + | 77,889745 € | 94,246591 € |
Herstellerkennzeichnung | SEMiX101GD12E4s |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Bridge 3f |
Konstruktion: | 6*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 6 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-13 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 370 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 160 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 123 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 94 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 565 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 6200 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 138x71x23 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.27 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 138 [mm] |
W - Breite | 71 [mm] |
H - Höhe | 23 [mm] |
I+case 63,5x126_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMiX-13/ 3s in size 63,5x126 mm ID: 176036 Hersteller-Nr.: F05-AL2-63,5x126mm_SEMiX13 | auf Anfrage Hersteller: SEMIC EU |