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BSM15GD120DN2

IGBT 1200V

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BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
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ID Code:168031
Hersteller:Infineon Technologies
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BSM15GD120DN2
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBSM15GD120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:233.2 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)145 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)45 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)140 [nC]
Cin (Input Capacitance)1000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]

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