Trans IGBT Module N-CH 1200V 311A
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | SKM200GB12V |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITRANS-3 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 355 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 311 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 237 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.75 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 45 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 72 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 2210 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12020 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.14 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 28 [mm] |
L - Länge | 106.4 [mm] |
W - Breite | 61.4 [mm] |
H - Höhe | 30.5 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative 1: | 172267 - FF200R12KT4 (INF) |
Alternative Produkte 1: | SKM200GB12E4 |
Alternative Produkte 2: | SKM200GB12T4 |