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SKM 50GB12T4

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 81A

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SKM 50GB12T4 Semikron
SKM 50GB12T4 Semikron
SKM 50GB12T4 Semikron
Stück
ID Code:134824
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 55,746685 €
Preis ohne MwSt. : 46,071641 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:184 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKM50GB12T4
Zentrallager Zdice: 184 Stück
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192 + 28,893726 €34,961408 €
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 81A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKM50GB12T4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITRANS-2 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:158.68 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.25 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
tr (Turn-on / rise time)29 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)75 [ns]
Qg (Total Gate Charge)280 [nC]
Cin (Input Capacitance)2800 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.53 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 94 [mm]
W - Breite 34 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:BSM50GB120DN2 
Alternative Produkte 2:FF50R12RT4 
Alternative Produkte 3:SKM50GB123D 
Alternative Produkte 4:SKM75GB128D 
Alternative Produkte 5:SKM75GB123D 

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ID: 181711   Hersteller-Nr.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück1,8088261,6702951,4486441,337819
Gesamtbestand: 177
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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