Transistor IGBT Module N-CH 1200V 81A
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | SKM50GB12T4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITRANS-2 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 158.68 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 8 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 80 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 60 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.25 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 29 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 75 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 280 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 2800 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.53 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 94 [mm] |
W - Breite | 34 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | BSM50GB120DN2 |
Alternative Produkte 2: | FF50R12RT4 |
Alternative Produkte 3: | SKM50GB123D |
Alternative Produkte 4: | SKM75GB128D |
Alternative Produkte 5: | SKM75GB123D |