IGBT 1200V
ID Code: | 138333 |
Hersteller: | Sirectifier |
Preis inkl. MwSt. : | 177,820300 € |
Preis ohne MwSt. : | 146,958926 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SDI200S12 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 146,958926 € | 177,820300 € | ||
5 + | 136,058452 € | 164,630727 € | ||
10 + | 119,747235 € | 144,894154 € | ||
20 + | 114,296998 € | 138,299368 € |
Herstellerkennzeichnung | SDI200S12 |
Art der Komponente: | IGBT-SPT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | High side 1*(Buck Chopper) |
Konstruktion: | 1*(IGBT+D)+D |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITRANS-3s |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 270 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 310 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 220 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.9 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 50 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 55 [ns] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 106x62x30 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.095 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 106 [mm] |
W - Breite | 61 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |
I+case 62x106_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Gesamtbestand: 9104 Hersteller: SEMIC EU |