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IRGP30B120KD-EP

IGBT 1200V

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IRGP30B120KD-EP Infineon Technologies
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IRGP30B120KD-EP Infineon Technologies
Stück
ID Code:136497
Hersteller:Infineon Technologies
Preis inkl. MwSt. : 18,983205 €
Preis ohne MwSt. : 15,688599 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:6 Stück
Herstellerkennzeichnung: IRGP30B120KD-EPPBF
Zentrallager Zdice: 6 Stück
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25 + 13,839162 €16,745386 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIRGP30B120KD-EPPBF 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-247AC_3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):25 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)30 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.28 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)300 [W]
Qg (Total Gate Charge)169 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.42 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.83 [°C/W]
RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 20 [mm]
W - Breite 15.6 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,20x0,60 [mm]
Lv - Anschlusslänge14.6 [mm]

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