IGBT Module 3300V/1200A Single,
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DIM1200ESM33-F000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single-E3*(T+D) |
Konstruktion: | 3*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 3 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | MODUL-E |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 1900 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 2 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.9 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 720000 [A2s] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 15600 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 275 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 230 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 30000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 216000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 190x140x38 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.008 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.016 [°C/W] |
L - Länge | 190 [mm] |
W - Breite | 140 [mm] |
H - Höhe | 38 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | FZ1200R33KF2C |
Alternative Produkte 2: | DIM1200ASM33-F000 |