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DIM1200ESM33-F000

IGBT Module 3300V/1200A Single,

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DIM1200ESM33-F000 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-F000 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-F000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:158931
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 424,648884 €
Preis ohne MwSt. : 1 177,395772 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1200ESM33-F000
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IGBT Module 3300V/1200A Single,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200ESM33-F000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E3*(T+D) 
Konstruktion:3*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 3 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-E 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1900 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)720000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)15600 [W]
tr (Turn-on / rise time)275 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)230 [ns]
Qg (Total Gate Charge)30000 [nC]
Cin (Input Capacitance)216000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.008 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.016 [°C/W]
L - Länge 190 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FZ1200R33KF2C 
Alternative Produkte 2:DIM1200ASM33-F000 

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