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BSM25GD120DN2

IGBT 1200V

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BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
Stück
ID Code:160826
Hersteller:Infineon Technologies
Preis inkl. MwSt. : 149,713891 €
Preis ohne MwSt. : 123,730488 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BSM25GD120DN2
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20 + 98,992294 €119,780676 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBSM25GD120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:233.2 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)200 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)50 [ns]
Qg (Total Gate Charge)140 [nC]
Cin (Input Capacitance)1650 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.06 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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