IGBT 1200V
ID Code: | 160826 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Preis inkl. MwSt. : | 149,713891 € |
Preis ohne MwSt. : | 123,730488 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | BSM25GD120DN2 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 123,730488 € | 149,713890 € | ||
5 + | 116,656787 € | 141,154712 € | ||
10 + | 102,548903 € | 124,084173 € | ||
20 + | 98,992294 € | 119,780676 € |
Herstellerkennzeichnung | BSM25GD120DN2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Bridge 3f |
Konstruktion: | 6*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 6 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 233.2 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 35 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 25 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 200 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 130 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 50 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 140 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 1650 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.06 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |